Menu
- Komputery
- Sieci i łączność
- Zasilanie
- Wyposażenie biura
- Urządzenia Wielofunkcyjne
- Urządzenia Wielkoformatowe
- Kserokopiarki
- Kserokopiarki
- Drukarki i urządzenia drukujące
- Eksploatacja do kserokopiarek
- Eksploatacja do faksów
- Materiały eksploatacyjne
- Artykułu biurowe
- Czyszczenie sprzętu
- Media ploterowe (w roli)
- Kable, taśmy, przedłużacze
- Części serwisowe
- Promocje
- Usługi
- Papier i media
- Rozszerzenia Gwarncji
- Skanery i digitalizacja
- Podzespoły komputerowe
- Peryferia
- Akcesoria i kable
- Elektronika i smart home
- Nowości
- Promocje
Producenci
Samsung 9100 PRO 1TB dysk SSD M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 (MZ-VAP1T0BW)
Dostępność:
dostępne (mag. log.)
Producent:
Samsung
Kod produktu:
81279
Opis
Samsung 9100 PRO 1TB — dysk SSD M.2 NVMe PCIe 5.0
Samsung 9100 PRO to dysk piątej generacji PCIe: PCIe 5.0 x4 i NVMe 2.0 w standardowej kości M.2 2280. Odczyt sekwencyjny sięga 14 700 MB/s, a zapis 13 300 MB/s — około dwa razy więcej niż w najszybszych dyskach PCIe 4.0.
Dla kogo
Do stacji roboczych i komputerów do gier z płytą obsługującą PCIe 5.0: montaż wideo 8K, praca z dużymi zbiorami danych, wczytywanie rozbudowanych scen i poziomów gier.
Technologia
Kości V-NAND TLC, 1 GB pamięci podręcznej LPDDR4X, operacje losowe do 1 850 000 IOPS przy odczycie i 2 600 000 IOPS przy zapisie. Wytrzymałość 600 TBW, MTBF 1,5 mln godzin. Szyfrowanie AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667.
Wersja bez radiatora. Gwarancja producenta: 5 lat lub do wyczerpania limitu 600 TBW.
Szacunkowe koszty eksploatacji
Cena za 1 TB
1 236,39 zł
Wartości szacunkowe — cena detaliczna podzielona przez wydajność (str.) lub pojemność.
Kody i identyfikatory
| Kody producenta | MZ-VAP1T0BW |
| Kod kreskowy (EAN) | 8806095811628 |
Dodatkowe parametry
| Model | 9100 PRO |
| Typ dysku | SSD |
| Format szerokości | M.2 2280 |
| Typ napędu | Wewnętrzny |
| Pojemność dysku | 1 TB |
| Interfejs dysku | PCIe 5.0 |
| Prędkość odczytu | 14700 MB/s |
| Prędkość zapisu | 13300 MB/s |
| Ilość operacji odczytu IOPS (maks.) | 1850 K |
| Ilość operacji zapisu IOPS (maks.) | 2600 K |
| Czas pracy pomiędzy awariami (MTBF) | 1500000 h |
| Kolor | Nie dotyczy |
| Wysokość | 22.15 mm |
| Szerokość | 80.15 mm |
| Głębokość | 2.38 mm |
Dane techniczne
| Pojemność | 1 TB |
| Format | M.2 2280 |
| Interfejs | PCIe 5.0 x4 |
| Protokół | NVMe 2.0 |
| Kości pamięci | Samsung V-NAND TLC |
| Pamięć podręczna | 1 GB LPDDR4X |
| Odczyt sekwencyjny | do 14 700 MB/s |
| Zapis sekwencyjny | do 13 300 MB/s |
| Losowy odczyt 4K | do 1 850 000 IOPS |
| Losowy zapis 4K | do 2 600 000 IOPS |
| TBW | 600 TB |
| MTBF | 1 500 000 h |
| Szyfrowanie | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 |
| Wymiary | 80,15 × 22,15 × 2,38 mm |
| Waga | 9 g |
| Temperatura pracy | 0 – 70 °C |
| Gwarancja | 60 mies. |
